(纯计算)西南大学汪志勇团队Adv. Funct. Mater.: 平行堆叠室温多铁同质双层中非易失性铁谷极化的滑移铁电调控

背景：谷电子学利用不等价能带极值作为额外自由度，在基础和应用物理中备受关注，但实现室温下显著且可逆的非易失性谷极化仍面临挑战。研究目的：西南大学汪志勇团队通过第一性原理和蒙特卡洛模拟，研究RuO2(SiN)2单层及平行堆叠双层结构，旨在探索其在室温下同时具有铁磁性和可切换谷极化的特性，并验证滑移铁电对谷极化的非易失性调控。结论：该研究首次表明RuO2(SiN)2在实验应变下为理想铁谷半导体，其双层结构通过滑移铁电实现室温多铁性和谷极化切换，为后摩尔时代纳米电子器件提供了新基础，且k·p模型扩展了类似材料家族的应用潜力。