研究进展：二维半导体MoS₂ | Nature Physics

背景：过渡金属二硫属化物（TMDs）作为直接带隙半导体，在凝聚态物理领域展现出强关联电子现象，是研究激子相关物理的重要平台。研究目的：该研究旨在探索自然生长的2H-堆垛MoS₂同质双层中层间激子的特性，特别是在无磁场条件下获取层间电子相干性的光学证据。结论：研究团队通过双栅器件独立调控电子密度和电场，观察到层间激子的独特随机避免交叉行为，揭示了以空间涨落序参量形式存在的层间电子相干性，为强关联电子态研究和激子量子器件开发提供了新途径。