苏州大学迟力峰、黄丽珍、谢淼SMTD：六方氮化硼上C₆₀薄膜的分形生长及其高效电荷传输特性

本文研究了在六方氮化硼（h-BN）基底上C₆₀薄膜的分形生长及其电荷传输特性。背景方面，有机半导体器件的性能受分子层结晶度和形态影响，而h-BN作为一种理想的基底，能优化有机薄膜的生长。研究目的是探究C₆₀薄膜在h-BN上的生长机制及其对器件性能的影响。实验发现，随着基底温度升高，C₆₀薄膜的晶畴尺寸增大，形态从团聚转变为分形结构，最佳温度为180°C。此外，基于h-BN上生长的C₆₀薄膜的晶体管表现出高迁移率和快速光响应。结论表明，h-BN基底能显著提升有机薄膜的结晶质量和器件性能，为有机电子应用提供了新思路。