AFM：锡掺杂促进2D钙钛矿横向异质结稳定性提升和晶体管器件性能提升

本文介绍了刘勇团队在二维卤化物钙钛矿材料稳定性与性能提升方面的研究成果。背景方面，二维卤化物钙钛矿因其优异特性被视为下一代柔性电子与光电芯片的重要材料，但其"软"晶格特性导致卤素空位和离子迁移问题，制约了器件稳定性。研究目的是通过"阳离子空间位阻+B位合金化"协同策略，在(PEA)₂Pb₁₋ₓSnₓBr₄-(PEA)₂PbI₄横向异质结中引入Sn²⁺取代Pb²⁺，以提升材料稳定性和器件性能。结论表明，25% Sn掺杂显著提高了Br⁻迁移势垒，优化了能带结构，实现了高性能场效应晶体管，其空穴迁移率达到8.41 cm² V⁻¹ s⁻¹，开关比为2.52×10⁶，为2D钙钛矿材料的稳定性设计提供了新思路。