B2O3、BeO与BN ：下一代超高性能电力电子材料

本文介绍了香港理工大学郑广平教授团队利用第一性原理高通量计算方法，筛选出下一代电力电子候选材料B2O3、BeO和BN。研究背景是现有宽带隙半导体如SiC、GaN存在掺杂困难和高成本问题。研究目的是通过多维评估（带隙、电子迁移率、热导率等）寻找性能更优、成本更低的新材料。研究结果表明，B2O3具有最佳击穿场强和JFOM值，BeO表现出优异的热导率和电子迁移率，BN则兼具高BFOM和热管理性能。这些发现为高压、高频、高能效电子器件开辟了新方向，相关方法还可拓展至其他电子材料领域。