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(纯计算)北京大学刘飞团队Nano Lett.: 通过诱导非配对d态设计Mott多铁性HfO2

计算材料学 2025-08-09 13:37
文章摘要
本文研究了通过Nb和Ta掺杂在HfO2中实现Mott多铁性的方法。二氧化铪（HfO2）因其与硅基半导体技术的兼容性而被广泛研究，但其单相多铁性仍难以实现。研究通过掺杂具有额外d价电子的过渡金属，在极性相中保留氧位移的同时诱导一个额外的d电子，从而规避了磁性与电序不相容的问题。密度泛函理论（DFT）计算证实了掺杂FE HfO2的稳定性，FE转变温度超过室温，切换势垒降低。研究还观察到一种显著的磁电耦合机制，可用于超快速、高能效的概率计算。
(纯计算)北京大学刘飞团队Nano Lett.: 通过诱导非配对d态设计Mott多铁性HfO2
查看文献： Design of Mott Multiferroic HfO2 by Inducing Unpaired d States
查看期刊： Nano Letters
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