hBN忆阻器， Nature Nanotechnology！

本研究背景是二维材料在先进电子器件中的应用潜力，特别是六方氮化硼（hBN）因其优异性能成为忆阻器理想候选材料。研究目的是解决hBN忆阻器与硅基CMOS电子器件集成时面临的高温合成和转移工艺难题。通过电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）在CMOS兼容温度下直接合成hBN薄膜，成功制备出无需转移、具备优异电学性能的忆阻器。结论表明，该方法实现了高良率、稳定性和多态编程能力，并成功集成于工业级CMOS芯片，为晶圆级CMOS集成和商业化应用奠定了基础。