成果 | 唐宁、沈波团队与合作者利用深紫外光谱在原子级薄超宽禁带半导体能带结构研究方面取得重要进展

本文介绍了北京大学物理学院唐宁、沈波团队与北京理工大学段俊熙团队在原子级薄六方氮化硼（h-BN）能带结构研究中的重要进展。研究通过深紫外共振激发技术，证实了单层及多层六方氮化硼均为间接带隙半导体，纠正了长期以来科学界对其直接带隙特性的误解。研究团队结合光致发光、共振拉曼光谱和差分反射谱等多种测量手段，系统性地研究了1~12层不同厚度的氮化硼样品，发现1~3层样品仅显示共振拉曼信号，而4层及以上样品出现声子辅助的间接带隙跃迁信号。这一发现为六方氮化硼在深紫外发光器件、自旋电子器件和量子信息器件等领域的应用提供了重要理论基础。