南大最新Nat. Mater.：突破晶圆级二维半导体堆垛调控技术

本文介绍了南京大学王欣然教授课题组在二维半导体堆垛调控技术方面的突破性研究。背景方面，二维半导体因其独特性质成为后硅时代的重要候选材料，但层间堆叠控制一直是大规模器件集成的主要挑战。研究目的是通过化学气相沉积（CVD）方法实现大面积、高相纯度的菱方相堆叠MoS2薄膜的制备。研究团队采用同质外延策略，利用人工智能图像识别技术，成功制备出纯3R相的多层MoS2晶圆，并通过多种表征手段验证了材料的3R相一致性。结论表明，该研究不仅提出了缺陷促进的成核机制，还展示了菱方相MoS2在铁电器件中的应用潜力，为二维材料在大规模器件集成和多功能器件开发领域的发展提供了新思路。