(纯计算)山东大学魏巍/戴瑛团队Nano Lett.: 量子自旋霍尔绝缘体TlX中的激子不稳定性
计算材料学
2025-07-22 12:02
文章摘要
本文研究了量子自旋霍尔绝缘体（QSHIs）中的激子不稳定性现象，提出QSHIs是实现激子不稳定性的有希望候选材料。通过第一性原理计算和多体微扰理论，验证了在TlX（X = As, Sb, Bi）中激子结合能超过准粒子带隙的情况。研究发现，与以往暗激子主导的激子绝缘体不同，该激子绝缘体态由具有负形成能和大振子强度的亮激子组成，为探测激子绝缘体提供了光学可达的特征。此外，伴随非平庸能带拓扑的关联激子绝缘体的出现揭示了一种新的（亮）拓扑激子绝缘体范式。
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DOI: 10.1021/acs.nanolett.5c02981
Pub Date : 2025-07-24
京公网安备 11010802042870号
