南京邮电大学牛相宏团队Chem. Mater.：层间扭转诱导二维薄层厚度自掺杂p-n结的形成

本文研究了层间扭转对二维材料中自掺杂p-n结形成的影响。背景方面，传统的硅基电子和光电子器件在微小型化过程中面临诸多挑战，而超薄二维材料因其优异的性能被视为扩展摩尔定律的有希望的候选者。研究目的是通过层间扭转策略实现二维材料中自掺杂p-n结的形成，以解决传统掺杂技术在二维材料中的局限性。研究结果表明，层间扭转可以有效地调节界面功函数差与极化势之间的竞争关系，从而控制界面电荷转移的方向，形成自掺杂p-n结。在光激发下，光生电子和空穴可以快速转移到不同的石墨烯电极上，实现超快的光电子空穴分离和自发光电流的产生。结论表明，层间扭转作为一种新兴策略，为超薄电子及光电子纳米器件的发展提供了新的推进路径。