清华大学许华平教授 Sci. Adv.：聚碲氧烷 - 一种理想的极紫外（EUV）光刻胶

本文介绍了清华大学许华平教授课题组在《科学进展》杂志上发表的一项研究，开发了一种新型极紫外（EUV）光刻胶——聚碲氧烷（PTeO）。背景方面，EUV光刻技术是半导体先进制程迈向sub-7 nm节点的核心技术，但现有光刻胶在EUV吸收能力、能量利用率和材料均一性等方面存在不足。研究目的是设计一种同时具备高EUV吸收能力、高能量利用率、分子级构成基元且完全均一的光刻胶材料。研究结果表明，PTeO通过将高EUV吸收元素碲（Te）引入高分子骨架，利用Te─O键的低解离能实现主链断裂，从而在13.1 mJ/cm²的EUV曝光剂量下分辨出18 nm线宽，且线边缘粗糙度（LER）为1.97 nm。结论指出，PTeO不仅满足了理想光刻胶的四大条件，还具有合成工艺简洁、无需后烘处理等优势，为下一代EUV光刻胶的设计提供了新思路。