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北京大学刘开辉教授团队开发了一种固-液-固（SLS）生长策略，成功制备出5厘米晶圆级高质量二维硒化铟（InSe）半导体薄膜。该研究解决了传统方法中相纯度低、结晶性差的难题，通过精确控制铟与硒的化学计量比，并利用液态铟界面促进非晶薄膜向单晶转化。基于该材料，团队构建了大规模集成晶体管阵列，其电学性能全面超越现有硅基及二维薄膜器件，成为国际上迄今能效最高的集成二维晶体管。该研究标志着我国在新一代高性能芯片材料研究方面取得了里程碑式突破。