突破硅极限！北京大学，重磅Science，新一代高性能芯片材料研究里程碑式突破！

随着人工智能和物联网技术的发展，计算能力需求激增，但硅基晶体管技术在亚10纳米节点逼近物理极限。为解决这一问题，北京大学刘开辉教授团队开发了一种固-液-固生长策略，成功制备出5厘米直径的高质量硒化铟晶圆。该晶圆的晶体管阵列展现出创纪录性能，平均电子迁移率达287 cm²/Vs，亚阈值摆幅低至67.3 mV/dec，远超现有二维薄膜器件水平。研究结果表明，该技术有望突破硅基技术的理论极限，推动下一代低功耗、高性能计算与通信芯片的发展。