天津大学新能源化工团队：半导体硬质掩膜新材料——反向天线PECVD技术破解类金刚石碳膜“透光-耐刻”兼容难题

天津大学新能源化工团队针对半导体器件微缩化过程中硬质掩膜材料的关键性能需求，创新开发了反向天线ICP-CCP耦合PECVD技术。该研究旨在解决传统类金刚石碳膜(DLC)在蚀刻选择性与光学透明性之间难以兼容的难题。通过双等离子体发生器耦合系统，在150℃低温条件下成功制备出兼具超高刻蚀选择性(18.3:1)和极低消光系数(k<0.01)的碳硬掩膜。研究阐明了工艺参数与薄膜性能的解耦机制，建立了硬质掩膜的工艺-结构-性能调控范式，为先进芯片制造提供了核心材料解决方案。