二维材料，再登Nature！

本文研究背景聚焦于固体中具有光学活性的自旋缺陷在量子传感和量子网络中的应用潜力，特别是六方氮化硼（hBN）中的自旋缺陷因其二维结构优势，适用于原子尺度的量子传感。研究目的是解决hBN中自旋缺陷化学结构不明及单个核自旋探测未实现的问题。普渡大学李统藏团队通过¹³C离子注入在hBN中制备了单自旋缺陷，识别出三种类型，并观测到自旋态S=1/2和S=1的共存现象。研究实现了室温下对单个核自旋的相干控制，π门保真度达99.75%，并通过DFT计算提出了可能的缺陷结构。结论表明，该研究不仅深化了对hBN自旋缺陷的理解，还为量子存储器和量子传感性能的提升提供了新途径。