香港理工大学《Acta Materialia》原子复杂性的双相高熵合金半共格界面处的位错成核和剪切滑移机制

本文研究了双相高熵合金（HEA）中半共格fcc/bcc界面的位错成核和剪切滑移机制，重点探讨了界面晶格畸变（ILD）和界面化学短程有序（ICSRO）对界面行为的影响。研究发现，ILD通过部分调节两相之间的失配引入不规则性，降低了平均界面失配。ICSRO则导致元素明显分离，进一步减少界面配准。ILD和ICSRO的协同效应破坏了传统双金属系统中错配位错网络的规律性，使局部区域成为位错成核的优选位点。此外，原子复杂性通过随机溶质原子和ICSRO团簇的固定效应显著增强了界面的抗剪切性。这些结果为开发具有定制界面特性的高熵合金提供了重要见解。