法国格勒诺布尔-阿尔卑斯大学Phys. Rev. Lett. | 范德华异质结中自旋-电荷转换的单层调控

本文报道了法国格勒诺布尔-阿尔卑斯大学Matthieu Jamet课题组在Phys. Rev. Lett.上发表的研究成果，探讨了范德华异质结中自旋-电荷转换的单层调控。研究背景基于二维材料的多样性及其范德华堆叠为工程设计新型多功能材料和物质的量子态提供了可能性。研究目的是通过在PtSe2和石墨烯之间插入单层MoSe2，实现对太赫兹自旋电子发射强度和符号变化的控制。研究结论表明，通过结合自旋和角分辨光电子能谱（ARPES）以及密度泛函理论（DFT），揭示了两种不同的机制，这些机制依赖于电荷转移和电子杂化来形成Rashba态，从而实现了自旋-电荷转换。这一发现为在原子尺度上设计高效太赫兹自旋电子发射器和其他自旋电子器件开辟了新途径。