中国科学技术大学李晓光团队:氧化铪薄膜 | Transactions of Materials Research
今日新材料
2025-07-11 00:00
文章摘要
本文介绍了中国科学技术大学李晓光团队在Transactions of Materials Research上发表的研究成果,主要探讨了氧化铪(HfO2)薄膜在动态随机存取存储器(DRAM)和铁电随机存取存储器(FeRAM)中的应用。研究通过控制Hf/Zr比例,并在Al2O3和TiO2层中插层,成功制备出具有低漏电流、高介电常数和良好铁电性能的Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜。该薄膜在多次循环后仍能保持良好的铁电性能,适用于3D HZO柱状电容器的制备,为DRAM和FeRAM的应用提供了新的材料解决方案。
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