Light | 太赫兹技术实现PN结深度纳米级“无创体检”
LightScienceApplications
2025-06-21 21:38
文章摘要
本文介绍了日本大阪大学与韩国三星公司研究团队提出的一种新型太赫兹发射光谱（TES）技术，用于非接触式测量硅片中埋层PN结深度。该技术通过飞秒激光激发PN结区域的光生载流子，利用其在耗尽层电场作用下的瞬态漂移电流辐射太赫兹波，从而实现了5纳米级分辨率的深度测量。实验验证表明，该技术与理论模型高度吻合，信噪比稳定，未来分辨率有望突破至1纳米级。该技术在半导体制造领域具有重要的应用价值，包括优化三维晶体管设计、降低检测成本和推动绿色制造。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿，本站转载出于非商业性的教育和科研之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题，请作者速来电或来函联系。
推荐文献
Nonlocal Huygens' meta-lens for high-quality-factor spin-multiplexing imaging.
DOI: 10.1038/s41377-024-01728-3
Pub Date : 2025-01-30
Issue Information
DOI: 10.1002/jbio.70072
Pub Date : 2025-06-12
Beyond Water Content: Unraveling Stiffness in Hydrated Materials by a Correlative Brillouin–Raman Approach
DOI: 10.1021/acsphotonics.5c00808
Pub Date : 2025-06-21
LightScienceApplications
Light丨二硫化锗——用于紫外到可见光纳米光子学的替代型高折射率透明材料.
2025-06-22
Light丨基于晶体硅超表面的全彩成像.
2025-06-20
Light丨二维钙钛矿微腔中的非对称拓扑光子态研究.
2025-06-19
Light品牌战略初见成效，三刊IF再攀新高.
2025-06-18
最新文章
Light丨二硫化锗——用于紫外到可见光纳米光子学的替代型高折射率透明材料
2025-06-22
Light | 太赫兹技术实现PN结深度纳米级“无创体检”
2025-06-21
Light丨基于晶体硅超表面的全彩成像
2025-06-20
京公网安备 11010802042870号
