湖南大学，Science！

本文研究了原子级二维半导体（2DSCs）中的载流子密度调控问题，传统方法存在结构性能损坏和接触电阻大的问题。湖南大学段曦东团队提出了一种基于Ⅲ型范德瓦尔斯异质结的层间电荷转移掺杂方法，通过外部栅极调制实现了重掺杂效应。实验结果显示，该方法实现了每平方厘米1.49 × 10¹⁴的超高2D空穴密度，显著降低了接触电阻至约0.041 kΩ·μm，并提升了导通电流密度至约2.30 mA/μm。这一研究为高性能2D半导体器件的开发提供了重要技术支持。