湖南大学最新Science！

本文介绍了湖南大学段曦东教授团队在Science上发表的研究成果，该研究提出了一种基于栅压可调能带调制的超重掺杂策略，实现了二维半导体材料中超高的二维载流子浓度。研究背景指出，原子级二维半导体在抗短沟效应方面表现出色，但载流子浓度调控面临诸多挑战。研究目的是通过形成III型单层SnS2/双层WSe2范德华异质结构，利用栅压调控层间电荷转移，实现高效空穴掺杂。研究结果表明，该方法实现了超高的二维空穴浓度（1.49 × 10^14 cm^-2），超低的接触电阻（约0.041 kΩ·μm）和创纪录的开启态电流密度（约2.30 mA/μm）。该策略具有通用性，可扩展至其他范德华异质结构体系，为高性能p型二维晶体管的发展提供了新思路。