武汉大学方国家、柯维俊、王为忠，华中科技大学傅华华AM：抑制宽带隙晶界缺陷的新方法-反溶剂添加剂

本文介绍了武汉大学和华中科技大学的研究团队在宽带隙钙钛矿太阳能电池领域的新突破。针对高溴含量宽带隙钙钛矿薄膜晶界缺陷多、晶粒尺寸小的问题，研究团队采用四（五氟苯基）硼酸钾（KTFB）分子作为反溶剂添加剂，通过晶体取向定制策略优化晶界生长。研究表明，KTFB分子能有效钝化晶界缺陷，抑制无序生长，制备出晶粒尺寸超过2 μm的高质量薄膜。实验结果显示，单结宽带隙器件效率提升至20.7%，两端和四端全钙钛矿叠层器件效率分别达到28.3%和29.1%，且器件稳定性显著提高。该研究为高效宽带隙钙钛矿太阳能电池的制备提供了新思路。