上海交大 王林团队AM：零回滞负电容场效应晶体管

本文介绍了上海交通大学王林团队在负电容场效应晶体管（NC-FET）领域的研究成果。背景方面，随着晶体管尺寸的微缩，传统MOSFET器件面临功耗问题，而负电容晶体管通过引入铁电材料有望突破玻尔兹曼极限，实现超低功耗特性。研究目的是解决现有NC-FET普遍存在的回滞效应和铁电层微缩难题。该团队采用扫描微波阻抗显微镜技术对范德华铁电材料CuCrP2S6进行表征，并利用二硫化钼作为沟道材料构建NC-FET，通过优化电容匹配关系，实现了零回滞特性。结论表明，该技术构建的反相器表现出0.2V超低工作电压和零回滞特性，有望应用于存内计算、物联网终端芯片等低功耗场景。