发光学报·特邀综述 | 陈峰/徐春祥：ZnO基器件中的负光电导特性研究

本文综述了ZnO基器件中负光电导特性的研究进展。背景方面，ZnO作为第三代半导体材料，因其高检出率和灵敏度常用于紫外光电探测器，但其光电导行为受表界面性质和缺陷态影响显著。研究目的主要探讨ZnO在不同条件下（如制备条件、环境温度、驱动方式、复合结构等）产生的负光电导现象及其物理机制。结论指出，负光电导效应源于载流子捕获，ZnO的丰富表面态和陷阱态使其成为构建负光电导器件的理想材料，未来需进一步优化缺陷捕获速度以实现更高性能的光电器件。