香港理工大学《Acta Materialia》原子复杂性的双相高熵合金半共格界面处的位错成核和剪切滑移

本文研究了双相高熵合金（HEA）中半共格fcc/bcc界面的位错成核和剪切滑移行为，特别关注界面晶格畸变（ILD）和界面化学短程有序（ICSRO）的影响。研究发现，ILD和ICSRO通过引入界面失配的不规则性和元素分离，显著改变了位错成核的机制和位置，从而增强了界面的抗剪切性能。这些结果为理解高熵合金界面的结构-性能关系提供了新的见解，并为设计具有优异机械性能的高熵合金提供了理论依据。