松山湖材料实验室「国家杰青」，最新Nature子刊！

本文介绍了一种使用硒（Se）作为中间层的干法转移技术，用于将晶圆级单层二硫化钼（MoS2）薄膜转移到目标基底上。该技术实现了高表面/界面清洁度和结构完整性的转移，与传统的转移技术相比，硒辅助干法转移产生的MoS2薄膜具有更高的质量。基于这些转移薄膜制造的场效应晶体管（FET）和逻辑电路表现出卓越的电气性能，包括高达2.7×1010的开关电流比和71.3 cm2 V-1 s-1的电子迁移率。研究结果强调了这种干法转移技术在制造高性能2D电子器件方面的可行性，这些器件与标准半导体工艺完全兼容，为将2D材料集成到先进电子应用中铺平了道路。