FOP | 前沿研究：室温附近的神奇磁现象：部分氧化Fe3GaTe2中的交换偏置效应

本研究由中山大学别亚青团队发表在Frontiers of Physics期刊，探讨了在部分氧化的Fe3GaTe2材料中观察到的近室温交换偏置效应。研究背景指出，传统的交换偏置效应通常需要在铁磁与反铁磁界面间实现，且阻塞温度普遍低于80 K，限制了其在室温自旋电子学器件中的应用。研究目的是通过实验和理论分析，揭示部分氧化Fe3GaTe2中高阻塞温度交换偏置的机制。实验采用反射磁圆二色性（RMCD）方法，发现82 nm厚的样品阻塞温度可达280 K。研究结论表明，部分氧化层在铁磁耦合和反铁磁耦合共存中起关键作用，为无需异质结构的高温磁钉扎方案提供了新路径，推动了范德华自旋电子学器件的实际应用。