中国科学院微电子所AFM：碳纳米管/硅异质集成的3D CMOS技术

本文介绍了中国科学院微电子研究所李博研究员团队提出的一种碳纳米管/硅异质集成的3D CMOS技术。该技术利用碳纳米管材料的低温成膜能力，实现了180nm SOI器件后道的低温（≤150℃）碳纳米管器件集成。研究团队通过工艺优化方案，实现了碳纳米管器件阈值电压的精准调控，使N、P晶体管电学特性匹配，显著提升了3D CMOS的噪声容限，同时实现了高增益、超低功耗及高均一性等优异性能。此外，团队通过TCAD仿真展示了该技术在14nm FinFET/CNT 3D CMOS电路单元中的集成能力，理论分析显示其在噪声容限和功耗方面优于商用14nm-FinFET工艺。