超越DUVL，全新图案化方案诞生！

背景：半导体行业中的图案化工艺是芯片制造的基础，直接影响晶体管密度和芯片性能。传统的光刻技术依赖昂贵的光源，且受到物理极限的限制。研究目的：上海科技大学冯继成课题组开发了一种名为“法拉第转印（Faraday Lithography, FL）”的全新图案化技术，旨在突破DUV光刻技术的物理极限，降低成本并提高精度。结论：FL技术实现了35纳米超高精度的图案化，且具有高精度、低成本和材料通吃三大优势。该技术有望改写全球半导体制造格局，并为国产芯片制造提供关键支持。此外，FL还展现出独特的三维图案化加工能力，具有广泛的应用前景。