研究进展：掺钪氮化铝ScAlN薄膜 | Nature Communications

本文介绍了掺钪氮化铝（ScAlN）薄膜在压电响应方面的研究进展。背景方面，掺钪氮化铝因其显著的压电响应在声学、电子、光子和量子应用中具有重要价值，但实际测量值远低于理论预测。研究目的是通过一种简单的、可扩展的生长后热退火工艺提升其压电响应。研究结果表明，该工艺使ScAlN的压电模量d33增加了3.5倍，从12.3pC/N提升至45.5pC/N，并通过三种独立测量技术验证了这一增强效果。结论指出，优化的退火条件改善了宏观结构质量，实现了更均匀的畴取向和更低的晶格参数比，为5G应用中的体声波谐振器提供了高频缩放机会。