福州大学AM：Yb³⁺掺杂ZnSe基量子点用于纯蓝QLED

本文研究了通过掺杂稀土离子Yb³⁺调控ZnSe量子点的晶体成核与生长行为，并利用Yb³⁺离子对核壳界面应变的缓释作用，构建高品质Yb:ZnSe/ZnS核壳结构。研究背景是纯蓝光发射材料在高端显示、固态照明和可穿戴设备中的需求日益增长，而现有ZnSe量子点在蓝光发射性能上存在光致发光量子产率低、发射波长偏离理想纯蓝区域等问题。研究目的是通过Yb³⁺掺杂降低表面能、优化核壳结构，实现高色纯度、高亮度的纯蓝发光。研究结果表明，Yb:ZnSe/ZnS量子点展现出优异的纯蓝发光性能，发射峰位453 nm，半峰宽46 nm，光致发光量子产率达67.5%。基于该量子点的蓝光QLED器件电致发光峰位455 nm，外部量子效率1.35%，最大亮度1337.08 cd/m²。结论表明，该研究为高性能纯蓝光QLED器件提供了新范式，并有望拓展至其他半导体纳米材料体系。