彭孝军和陈鹏忠课题组通过调控团簇垂直电离能与双键交联作用协同实现Zn-Ti团簇在电子束和极紫外下的高灵敏曝光

本文介绍了大连理工大学彭孝军教授和陈鹏忠副研究员课题组在极紫外（EUV）光刻胶研究中的突破。背景方面，随着半导体工业对高密度晶体管需求的增加，EUV光刻技术因其高分辨率成为关键，但现有EUV光刻胶灵敏度不足。研究目的是通过调控Zn-Ti团簇的垂直电离能（VIP）和双键交联作用，提高光刻胶在EUV下的灵敏度。研究结果表明，使用对乙烯基苯甲酸配体降低VIP并协同双键交联作用，使团簇在EUV下仅需25 mJ/cm2即可完成曝光，且实现了约9 nm的最小线宽，接近5 nm和3 nm技术节点的标准。结论指出，该方法为团簇类光刻胶的设计提供了新思路，并深化了对EUV光刻胶反应机理的理解。