上科大冯继成课题组：开发出芯片中的下一代金属互连方案！

本文介绍了上海科技大学物质科学与技术学院冯继成课题组开发的一种新型芯片金属互连加工方案。随着集成电路尺寸缩小，传统铜互连面临电阻尺寸效应问题，亟需新一代互连金属及其加工方案。该研究提出了一种“自下而上”的加工方法，利用“人工闪电”蒸发金属电极靶材，形成高纯金属纳米颗粒，并通过控制电场空间构型原位打印成3D纳米互连结构。该方法具有材料种类多、加工精度高、能源和材料利用率高等优势，最小三维结构的特征尺度可达17 nm。此外，该技术实现了晶圆级高通量打印，展现出优异的工艺一致性，为芯片互连制造提供了新的可能性，并在MEMS、光学超构材料等领域具有广阔应用前景。