浙江大学赵俊杰团队：聚合物区域选择性沉积实现非光刻“自对准”图案化制造

本文主要介绍了浙江大学赵俊杰团队在聚合物区域选择性沉积方面的研究成果。研究背景指出集成电路微缩化过程中套刻误差控制已成为制造中的核心挑战，传统光刻技术已逼近极限。研究目的是发展“自对准”非光刻的图案化方法，通过区域选择性沉积(ASD)实现原子级精度本征对准。团队提出了光催化表面引发化学气相沉积(PS-iCVD)策略，实现了甲基丙烯酸酯类聚合物的全干式区域选择性沉积，并进一步开发了可见光驱动的PS-iCVD策略(VLiCVD)，实现了97.4%的选择性。结论表明该方法在可持续纳米制造方面具有潜力，可实现单体的回收与再利用。