二维材料GaInS3面内偏振增强-光电探测器的应变工程 | Transactions of Materials Research

本文介绍了华中科技大学研究人员在二维材料GaInS3中通过应变工程实现自供电偏振光电探测的研究。研究背景是当前二维偏振敏感光电探测器主要依赖复杂的异质结堆叠，而该工作利用了GaInS3材料固有的面内各向异性结构和自发极化特性。研究目的是开发更简单高效的自供电偏振光电探测器。实验结果表明，应变后的GaInS3器件表现出优异的光电性能，包括高开/关比(>10^4)和大各向异性比(≈5.4)，并能实现自供电高分辨率偏振成像。这项研究为开发高性能二维自供电偏振光电探测器提供了新思路。