《Scripta Materialia》掺杂对InAs与Ge晶体纳米压痕突跳现象的相反影响
材料学网
2025-04-22 22:12
文章摘要
本文研究了掺杂对InAs与Ge晶体纳米压痕突跳现象的影响机制。研究发现，掺杂在InAs和Ge中表现出相反的影响趋势：在InAs中，掺杂Zn和S完全抑制了突跳现象，归因于位错成核能垒的降低；而在Ge中，掺杂Ga和Sb增强了突跳行为，可能与相变能垒的提高有关。研究通过结合纳米压痕实验、AFM与SEM观测以及DFT计算，揭示了电子结构对半导体微观力学行为的深刻影响。研究结果为半导体器件加工过程中的形变调控提供了理论依据与实践指导。
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