上海交通大学王林课题组Adv. Mater.：零回滞负电容场效应晶体管

本文介绍了上海交通大学王林课题组在《Advanced Materials》上发表的研究成果，主要探讨了负电容晶体管（NC-FET）在解决传统MOSFET器件功耗问题方面的潜力。研究采用范德华铁电材料CuCrP2S6（CCPS）和二硫化钼（MoS2）作为沟道材料，通过扫描微波阻抗显微镜（sMIM）技术表征CCPS的高介电常数，并构建了零回滞NC-FET。该技术实现了0.2 V的超低工作电压和与电压扫描范围无关的零回滞特性，有望应用于存内计算和物联网终端芯片等低功耗场景。