Light | 基于范德华磁性半导体CrSBr实现光电探测调控

本文介绍了北京大学叶堉教授团队基于范德华磁性半导体CrSBr制备的光电探测器件的研究成果。该器件具备高光响应度、显著的偏振线二向色性以及磁场调控能力，能够实现对光子能量、偏振和外部磁场等多参数的高效响应。研究背景指出，现有技术和材料难以同时响应外部场和光照，阻碍了自旋光电器件的发展。研究团队通过引入CrSBr，制备了垂直范德华隧穿结构，实现了优异的光电性能。实验结果表明，在1.65 K时，光电流响应的峰值对应两个能带间跃迁，且光响应的线二向色比值最高可达近60。此外，外部磁场可以有效调控光电流响应，使其显著增强。这一研究成果为高性能自旋光电器件的开发提供了关键材料基础，有望推动相关技术在多个领域的实际应用。