(纯计算)武汉工程大学/华中科技大学Phys. Rev. B: 二维亚铁磁金属-有机框架中的拓扑磁性角态

本文介绍了武汉工程大学和华中科技大学的研究团队在Phys. Rev. B上发表的研究成果，探讨了二维亚铁磁金属-有机框架（MOFs）中的拓扑磁性角态。研究背景基于MOFs在气体存储和催化方面的优异性能，以及其在费米能级附近能带结构的可调性。研究目的是探索在二维MOFs中实现拓扑磁性角态的可能性，特别是在自旋-轨道耦合（SOC）较弱的情况下。研究结论表明，在三种二维亚铁磁MOFs中发现了受C2z和C4z对称性保护的非常规角态，这些角态在SOC存在下依然稳定，为拓扑器件的应用提供了新的材料平台。