(纯计算)西湖大学刘仕团队Phys. Rev. Lett.: 铁电HfO2中间隙掺杂诱导矫顽场降低的起源

计算材料学 2025-02-08 08:00
文章摘要
本文介绍了西湖大学刘仕教授课题组在Phys. Rev. Lett.上发表的研究,探讨了铁电HfO2中间隙掺杂如何诱导矫顽场降低的机制。研究背景基于二氧化铪(HfO2)作为非易失性铁电存储器件的潜力,但高矫顽场限制了其应用。研究目的是通过密度泛函理论(DFT)计算和大尺度深度势分子动力学模拟,揭示间隙Hf掺杂剂如何通过促进极化反转来降低矫顽场。研究结论表明,中等浓度的间隙Hf掺杂剂可以显著降低转换场,并在亚纳秒时间尺度上实现转换,为矫顽场优化提供了新的策略。
(纯计算)西湖大学刘仕团队Phys. Rev. Lett.: 铁电HfO2中间隙掺杂诱导矫顽场降低的起源
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿,本站转载出于非商业性的教育和科研之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请作者速来电或来函联系。
推荐文献
Corroborating the Monro-Kellie Principles.
DOI: 10.1007/s12028-022-01624-x Pub Date : 2026-02-01 Date: 2022/10/31 0:00:00
IF 4.7 3区 材料科学 Q1 ACS Applied Electronic Materials
Issue Editorial Masthead
DOI: 10.1021/aev009i002_2032701 Pub Date : 2026-01-26
IF 5.5 3区 材料科学 Q2 ACS Applied Energy Materials
Van der Waals materials for energy-efficient electronic devices
DOI: 10.1038/s41578-025-00886-z Pub Date : 2026-02-02
IF 83.5 1区 材料科学 Q1 Nature Reviews Materials
计算材料学
最新文章
热门类别
相关文章
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:604180095
Book学术官方微信