成果 | 杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展
北大物理人
2025-02-06 20:24
文章摘要
北京大学物理学院杨学林、沈波团队在氮化镓外延薄膜中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展。该研究通过扫描透射电子显微镜(STEM)的深度切片技术,成功捕捉到单根位错线的原子级攀移过程,并发现混合位错中的5环不全位错以“5-9”原子环循环交替的方式进行攀移。研究还提出了“费米能级调控割阶形成”的新机制,为理解掺杂如何影响位错攀移提供了新的物理视角。该成果对提升氮化镓基材料和器件性能具有重要的科学意义和应用价值。
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