他，C9「国家杰青」，新发Nature子刊！

本文介绍了南京大学余林蔚教授和王军转教授联合扬州大学胡瑞金在Nature Communications上发表的研究，他们提出了一种通过局部曲率调制催化生长来构建超细和超短硅纳米线通道的新方法。这种方法通过引导平面硅纳米线跳过交叉台阶，实现了长度小于100 nm的短颈缩段，直径从约45 nm减小到约25 nm。研究表明，这种阶梯型硅纳米线场效应晶体管展现出显著增强的开/关电流比和更陡峭的亚阈值摆幅，这归因于中间通道中更强的栅控效应以及在较厚的源/漏端明显改进的电接触。这些发现标志着催化生长作为一种精确制造方法，用于精确制造工程化的FET通道的开创性实验演示，该技术适用于高性能大面积显示器和传感器的要求。