利用亲核进攻所诱导的脱氢偶联反应实现常温下的晶体硅合成

本文介绍了一种在常温下通过脱氢偶联反应制备晶体硅的新方法，由中山大学化学学院杨振宇课题组开发。该方法利用路易斯碱试剂对氢封端二维硅烷进行亲核进攻，促使硅硅键的形成，从而在室温下成功合成晶体硅。相较于传统的高温制备工艺，该方法不仅降低了能耗，还提供了一种新的硅化学反应策略。研究通过一系列实验和量子化学计算验证了反应机理，并展示了该方法在半导体和能源领域的潜在应用价值。