上海科技大学谢琎团队：原子层沉积涂层在合成过程构建快速锂离子通道，实现层状正极材料快充

上海科技大学谢琎团队的研究聚焦于通过原子层沉积（ALD）技术在层状氧化物的固相合成过程中构建快速锂离子通道，以提升高镍正极材料的快充性能。研究背景指出，高温合成虽有利于锂离子传输，但可能导致锂/镍混排和岩盐相的形成，影响材料性能。研究目的旨在通过ALD技术，在氢氧化物前驱体表面均匀包覆二氧化钛，形成梯度掺杂，从而抑制高温下氧空位的形成和表面层状氧化物的分解。研究结论显示，该方法有效维持了快速锂离子传输通道，显著提升了材料的倍率性能和循环稳定性，并提出了一种利用ALD技术制备高功率密度电极材料的新方法。