厦门大学PNAS：低压碳热冲击还原快速合成（30 s）难熔碳化物

本研究由厦门大学范凤茹教授团队提出并验证了一种低压碳热还原策略，用于快速合成高比表面积的难熔碳化物，特别是碳化硅（SiC）。该方法在约1300°C和50 Pa的低压环境下，仅需30秒即可合成比表面积高达569.9 m2 g-1的SiC，显著降低了能耗和成本。研究还证明了该策略在多种难熔金属碳化物快速制备中的普适性，包括NbC、Mo2C、TaC、WC等，甚至适用于高熵碳化物的合成。此外，通过工业真空烧结炉的实验，验证了该策略的规模化生产潜力，单次产量大于12 g。该研究为难熔碳化物的高效可控制备提供了新的技术路径，有望推动相关功能材料的工业应用。