研究前沿：二维半导体硫化钨WS2-FET | Nature Electronics

本文报道了美国加利福尼亚大学圣巴巴拉分校的研究团队在Nature Electronics上发表的研究，探讨了二维半导体在三维晶体管中的应用，特别是过渡金属硫属化物在互补金属氧化物半导体（CMOS）场效应晶体管中的潜力。研究通过非平衡格林函数量子输运模拟和密度泛函理论模拟，比较了不同3D晶体管的性能，发现三层二硫化钨WS2在能量延迟乘积方面优于硅，提高了55%以上。研究还展示了2D纳米板场效应晶体管在集成密度和驱动电流方面的显著提升，比类似尺寸的2D和硅基3D场效应晶体管提高了近十倍。这项研究为未来CMOS技术的缩放提供了新的方向。