PRL: 全电压控制磁矩写入新方法：双半子扭矩翻转面内磁

本文介绍了浙江大学量子物态与器件研究中心、浙江大学物理学院杨洪新教授、常凯院士与兰州大学于东星研究员、贾成龙教授等科研人员合作，在Physical Review Letters上发表的一项研究。该研究提出了一种全新的磁矩写入方法，即利用电压控制双半子（Bimeron）扭矩翻转面内磁化方向。双半子是一种拓扑磁结构，具有净磁矩，通过电压控制其极性转换，可以实现面内磁化方向的确定性可控翻转，从而实现低功耗的磁写入操作。这一方法避免了电子运动和碰撞引发的焦耳热问题，为低功耗磁随机存储器（MRAM）的写入操作提供了一种高效可选方案。