EMD | 重磅！“诺奖”材料缺陷研究，曼彻斯特城市大学团队再获突破

本文探讨了石墨烯的结构缺陷、氮和硼掺杂以及表面环氧/羟基对其电子结构和电化学电容的影响。通过密度泛函理论计算，研究发现氮或硼的取代掺杂在掺杂原子分离时最为稳定，且单空位缺陷具有磁性。研究还表明，结构缺陷的引入比掺杂和吸附原子更能显著提高石墨烯的电容。然而，掺杂和吸附原子会导致零电荷电位的偏移。本文为优化石墨烯基材料的电双层电容提供了理论指导，并强调了在计算电容时考虑电解质影响的重要性。