中国科学院半导体研究所&东方理工大学最新Nature：提出免于退极化效应的光学声子软化新理论

本文由中国科学院半导体研究所和东方理工大学的研究团队提出了一种新的理论，解释了光学声子软化的机制，特别是在高密度纳米电子学中的应用。传统上，光学声子的软化被认为是由于长程库仑相互作用超越短程原子键合强度所致。然而，本文提出了一种新的机制，即通过减弱短程键合作用来实现TO声子软化，这种机制在岩盐结构的氧化铍（BeO）中得到了验证。研究还发现，通过调整化学键、离子半径差异、应变、掺杂和晶格畸变，可以增强超薄膜中的铁电性，使其不受去极化场的影响。这一发现为开发新型高k介电材料和铁电材料提供了新的思路，对于提高集成电路的性能和降低功耗具有重要意义。